Новые источники энергии стимулируют рост, среднегодовой темп роста в глобальном/китайском масштабе за десять лет достигает 13%/15%

Силовые полупроводники являются основой преобразования энергии и управления цепями в электронных устройствах. Это полупроводники, которые могут поддерживать высокое напряжение и большой ток. Они в основном используются для изменения напряжения, частоты и преобразования мощности (преобразование постоянного тока (DC) в переменный ток (AC), преобразование переменного тока (AC) в постоянный ток (DC)).

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором): это составной полностью управляемый силовой полупроводник, состоящий из MOS и BJT. Он имеет два преимущества: высокое входное сопротивление МОП-транзистора и низкое напряжение включения биполярного транзистора, низкая мощность возбуждения и низкое напряжение насыщения. Он подходит для высоковольтных и сильноточных полей и является центральным процессором силового электронного оборудования.

С точки зрения уровня напряжения, низковольтные IGBT ниже 600 В в основном используются в области бытовой электроники, средневольтные IGBT 600–1200 В в основном используются в транспортных средствах, использующих новые источники энергии, фотогальванике, бытовой технике, промышленности (сварочные аппараты, ИБП) поля, сверхвысокое напряжение выше 1700 В IGBT в основном используются в железнодорожном транспорте, ветроэнергетике и интеллектуальных сетях.

Согласно данным Yole, если не считать нисходящих приложений, объем рынка промышленных, бытовых, электромобилей, железнодорожного транспорта, фотогальваники и других отраслей в 2020 году будет составлять 31 процент, 24 процента, 9 процентов, 6 процентов и 4 процента.

По нашим оценкам, глобальный рынок IGBT достигнет 95,4 млрд юаней в 2025 году при среднегодовом темпе роста 16% в период с 2020 по 2025 год, а китайский рынок IGBT достигнет 45,8 млрд юаней и среднегодовой темп роста 21% в период с 2020 по 2025 год. 2025 г. В 2030 г. мировой рынок IGBT достигнет 160,9 млрд юаней, а среднегодовой темп роста достигнет 13% в 2020-2030. Китайский рынок IGBT достигнет 73,2 млрд юаней, а среднегодовой темп роста достигнет 15 процентов в 2020-2030. Среди них наибольший прирост внесли автомобили на новой энергии, фотоэлектрические системы и накопители энергии.